LT1166による準コンプリメンタリMOSFETアンプのバイアス設定と位相補償

IRF530N, TTC004B, TTA004Bを用いた、LT1166によるMOSFETアンプのバイアス設定と位相補償をまとめておきます。

こちらの記事を参考にしています。

9.5.4 DC Biasing techniques with emitter/source degeneration

準コンプリメンタリMOSFETアンプの回路図

C3M0120090DによるAB級 SiC MOSFETアンプの回路設計の記事で、エミッタディジェネレーションによる準コンプリメンタリは、ゲイン20倍、電源レール+-48Vに対して、出力電圧の振幅が制限(+-20V程度)されていましたが、バイパスコンデンサ(100pF)をエミッタ抵抗(150Ω)につけると十分な出力電圧の振幅(+-30V程度)が確保できるようです。

また、電流源駆動段(C)の位相余裕を確保するために、ドミナントポールを30kHz(ゲイン段（A)の補償容量：C1=22pFで設定)にしています。

なお、ダーリントンドライバ(TTC004B, TTA004B)のエミッタ抵抗およびコレクタ抵抗は150Ωとして制止電流を30mA(1W)としています。

増幅段(A), フィードフォワード段(B), 電流源駆動段(C), 出力電圧(D)のゲイン位相図

いつか機会があれば、試作して音も確認したいと思います。